三星开始量产第二代10nm FinFET SoC

三星称，与第一代10nm工艺技术10LPE（低功耗早期）相比，10LPP工艺技术可使性能提高10%，功耗降低15%。由于该工艺源于已经证实的10LPE技术，因此可大幅缩短从开发到批量生产的周转时间，并提供更高的初始生产良率，从而具有竞争优势。位于位于韩国华城的三星电子的S3生产线
采用10LPP工艺技术设计的SoC将用于计划于明年年初推出的电子设备。三星电子代工市场营销副总裁Ryan Lee表示：“通过从10LPE向10LPP的过渡，我们将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初始产量。”三星电子还宣布，位于韩国华城的最新生产线S3正准备加速生产10纳米及以下工艺技术。S3是三星代工业务的第三家晶圆厂，其它两家分别是位于韩国Giheung的S1和位于美国奥斯汀的S2。三星的7nm FinFET工艺技术与EUV（Extreme Ultra Violet）也将在S3大批量生产。
晶圆