第三代半导体再下一城：华为哈勃投资碳化硅公

IT之家 7 月 5 日消息7 月 1 日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联公司深圳哈勃科技投资合伙企业 (有限合伙)，同时公司注册资本由约 9027 万元人民币增至约 9770 万元人民币，增幅超 8%。

企查查信息显示，该公司成立于 2009 年，法定代表人为李锡光，经营范围包含：研发、生产、销售：碳化硅外延晶片，半导体材料及器件等。

据悉，东莞市天域半导体科技有限公司位于广东省东莞市松山湖高新技术产业开发园区，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅 (SiC) 外延片研发、生产和销售的高新技术企业。2010 年，天域半导体与中国科学院半导体所合作成立了“碳化硅技术研究院”，组成了一支国内顶尖的技术创新团队。

IT之家了解到，经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。