三星 3nm 制程延期至 2023 年，落后台积电一年

IT之家 7 月 14 日消息 2021 年国产 IP 与定制芯片生产大会中，三星电子公开了自己的下一代芯片代工制程规划：3 纳米制程将在 2023 年投产。然而，三星此前曾表示 3 纳米制程将在 2022 年投用。

据三星解释，早先定于 2022 年投用的 3 纳米工艺是 3GAE 版本，即 3nm gate-all-around early，可以理解为 3 纳米工艺的试错版本。而三星在 2023 年推出的 3 纳米工艺是 3GAP，即 3nm gate-all-around plus，可以将其理解为 3 纳米工艺的强化版。

此外据 Digitimes 分析，结合英特尔公司发布的芯片制程标准参数可知。台积电的 3 纳米工艺可以做到 2.9 亿颗/平方毫米，三星的 3 纳米工艺可以做到 1.7 亿颗/平方毫米。三星的 3 纳米制程指标甚至连英特尔的 7 纳米工艺都不如。

不过 Anandtech 报道，对于 3GAE 没有出现在路线图中，但 3GAP 却出现了，三星的一位发言人回应称，三星一直在与客户探讨 3GAE 工艺，将在 2022 年如期量产。

IT之家了解到，三星最初在 2019 年 5 月宣布其基于 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，与 7LPP 相比，3GAE 的性能提高 35%，功耗降低 50%，面积减少 45%。

值得一提的是，上月底，三星宣布 3nm GAA 制程技术已经正式流片。据介绍，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架构，性能优于台积电的 3nm FinFET 架构。

作为对比，台积电 3 纳米芯片将于 2022 年下半年开始量产。