IT之家 5 月 11 日消息据参考消息，湖南大学物理与微电子科学学院刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管原型器件，其有效沟道长度最短可小于 1 纳米。
据报道，该研究成果为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。
IT之家了解到，日前，这一研究成果已发表在《自然・电子学》（Nature Electronics）杂志上。论文的第一作者为湖南大学物理与微电子科学学院博士生刘丽婷，刘渊教授为通讯作者。
IT之家 5 月 11 日消息据参考消息，湖南大学物理与微电子科学学院刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管原型器件，其有效沟道长度最短可小于 1 纳米。
据报道，该研究成果为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。
IT之家了解到，日前，这一研究成果已发表在《自然・电子学》（Nature Electronics）杂志上。论文的第一作者为湖南大学物理与微电子科学学院博士生刘丽婷，刘渊教授为通讯作者。
中国奠定 “清洁科技 2.0 时代”，有望出现下一
谷歌 CEO 为反垄断案辩解：在许多市场是失败者
闽公网安备 35020602001684号