HBM4 基片 4nm 工艺需求增长带动，曝三星晶圆代工

10 月 1 日消息，集邦咨询综合 digitaltoday 等多家媒体报道，称受 HBM4 基片 4nm 工艺需求增长，三星电子晶圆代工与系统级芯片（System LSI）业务 2026 年合并营业亏损同比收窄 42%。

HBM4 采用多颗 DRAM 芯片垂直堆叠架构，底层基片负责信号控制与数据调度，主要服务于 AI 加速器、GPU 等高算力芯片，提供远超传统 GDDR 的带宽与能效。

而 HBM4 堆叠结构中最底层的逻辑芯片 base die 采用 4nm 工艺，伴随着市场需求快速增长，三星正在加快相关产能爬坡。三星于今年 2 月启动 HBM4 量产出货，5 月向客户送样 HBM4E，第三季度 HBM4 收入预计环比增长三倍以上。

报道称 HBM4 占三星 HBM 总收入比例预计下半年超过 60%，且基片产量随之攀升，直接拉动晶圆代工收入。

HBM4 基片与先进节点订单需求强劲，三星无需再为提升产能利用率而接受低价合同。7 月三星上调 4nm 新订单价格，部分先进节点价格涨幅达 10% 至 15%。

外部订单方面，三星 7 月与博通（Broadcom）签署谅解备忘录，计划 2030 年前合作规模超过 2,000 亿美元（注：现汇率约合 1.34 万亿元人民币），涵盖 HBM4/HBM4E 供应及 2nm 以下制程与先进封装。第二季度已获大型云服务提供商及 AI、HPC 客户 2nm 项目，客户启动产品设计。

Kiwoom 证券的数据称，三星晶圆代工和系统级芯片业务的合并营业亏损预计将同比收窄 41.8%，从去年的 6.74 万亿韩元（现汇率约合 334.17 亿元人民币）降至今年的 3.92 万亿韩元（现汇率约合 194.35 亿元人民币）。

相关阅读：

• 《消息称三星晶圆代工考虑扩大 4nm、2nm 产能，应对 HBM Base Die 需求》